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本论文采用恒电位沉积法，以阳极氧化铝（AAO）为模板，制备了CdSe纳米线、CdSe纳米管、TiO2纳米管、CdSe/TiO2同轴纳米电缆及其阵列。采用扫描电子显微镜、透射电子显微镜、EDS能谱、X射线衍射、紫外-可见吸收光谱等测试手段，对所得材料的形貌、结构、光吸收特性等进行了表征。以AAO模板为工作电极，采用控电位法制备出了CdSe纳米线及纳米管阵列。形貌分析表明，CdSe纳米线直径约100nn，表面光滑、粗细均一。CdSe纳米管外径约100nm，壁厚约20nm。X射线衍射测试表明，所制