铌酸锂晶体是一种光学晶体材料，性能良好。因为其电光、铁电、光折变等性能优异，因此在激光倍频、调Q开关等等方面有着重要的应用，甚至有人称其为“光学硅”。因为纯铌酸锂的光折变性能并不尽如人意，因此，掺杂就成为了对铌酸锂性质进行改进的重要手段。其中包括光折变掺杂和抗光损伤掺杂两种类型，前者例如Fe3+等等，后者例如Mg2+、Hf4+等等。而根据之前的报道，Sn4+是一种性能很好的掺杂离子，可以显著增强铌酸锂晶体的抗光折变能力，铅元素与它同主族，掺杂之后会不会影响晶体的抗光折变能力？于是我们生长了掺铅的铌酸锂晶体，并对其进行了相关实验测试研究。　　第一章，介绍了铌酸锂晶体的晶格结构、缺陷结构、基本物理特性，并总结了不同掺杂元素对晶体性能的影响。　　第二章，介绍了如何使用提拉法生长铌酸锂晶体，以及随后的退火、极化等处理过程。　　第三章，生长了同成分掺铅铌酸锂晶体，利用光斑畸变实验以及全息存储实验，完成了对晶体的抗光损伤阈值以及最大衍射效率、响应时间等数据的测量。并且对晶片进行高温氧化处理及相关测试。　　第四章，生长了近化学计量比掺铅铌酸锂晶体，通过测量计算发现其衍射效率最高可以达到约16％左右，载流子类型为电子型。　　第五章，生长了同成分铅镁双掺铌酸锂晶体，通过测量计算发现其抗光损伤阈值大约在104W/cm2左右，通过紫外-可见过吸收光谱，可以看出晶体吸收边蓝移，通过XPS测试，发现铅离子很难在双掺时掺杂进入晶体中。　　第六章，对上述实验所得出的结果进行了总结和讨论，并且以此对掺铅铌酸锂晶体做出了一些展望。