Nb₂O₅掺杂TiO₂（NTO）不同掺杂比制备的薄膜和两者按比例合成制备的氧化物种类众多,且制备的产物不论是薄膜还是氧化物都具有较好的应用前景,研究方向十分广泛。目前鲜有系统地总结Nb₂O₅和TiO₂相互掺杂、合成过程中随着Nb₂O₅掺入摩尔比例的升高整个Nb₂O₅-TiO₂系固溶相图掺杂、合成产物的演变及每个掺杂范围内所对应产物应用的研究文献和研究工作的出现。而且当Nb₂O₅掺入摩尔百分比超过88.9 mol.%,此时TiO₂在Nb₂O₅的晶格当中也具备一定的固溶度,即为TiO₂掺杂Nb₂O₅（TNO）,与之相关的烧结制备研究工作十分少见。由于氧化铌掺杂氧化钛和钛铌化合物及应用众多,本论文选取了相图中分别位于富钛端Nb₂O₅掺杂摩尔比例为0¹0 mol.%NTO靶材及其透明导电薄膜（TCO）的制备工艺;Nb₂O₅、TiO₂摩尔比为1:1的TiNb₂O₇和2:5的Ti₂Nb₁₀O₂₉中间相粉末合成工艺为主要研究方向。并且研究了富铌端随着TiO₂掺杂量的提高对烧结产物TNO性能的影响。主要的实验结论如下:（1）在高温箱式炉空气中和密闭管式炉通氩气中分别烧结制备NTO靶材,研究了掺杂量、烧结温度及烧结气氛对靶材的密度、力学性能、电学性能的影响。箱式炉空气烧结制备靶材电阻率为280Ω·cm,抗弯强度108.5 MPa,致密度可以达到94.3%,维氏硬度为398.4 HV_2kg;管式炉氩气烧结制备靶材电阻率为2.2×10^-2Ω·cm,抗弯强度84.8MPa,致密度可以达到92.2%,维氏硬度为338 HV_2kg。（2）使用制备靶材采用直流溅射制备NTO薄膜。靶材在溅射功率为80 W、靶基距为100 mm、溅射时间为15 min、工作气压为0.4 Pa、退火温度为550℃的镀膜工艺条件下制备的薄膜具有最佳的光电性能,其可见光范围平均透过率为90.2%以上,薄膜电阻率为6.24×10^-3Ω·cm。增加溅射的时间,可以增加薄膜厚度,利于提高薄膜的透过率、降低薄膜电阻率,但是过长的溅射时间对透薄膜过率产生不利影响;工作气压在0.4Pa以下,增加气压可以提高薄膜的透过率、降低薄膜电阻率,当气压超过0.4 Pa时,气压的增加不利于薄膜形成多晶结构。增加退火温度可以提高薄膜的结晶性,但是过高的退火温度会破坏已经形成的多晶结构。（3）在高温箱式炉中1100℃高温合成制备Nb₂O₅、TiO₂摩尔比为1:1、2:5的钛铌氧化物粉末,通过XRD图谱分析两种合成粉末分别与TiNb₂O₇和Ti₂Nb₁₀O₂₉的PDF卡片匹配较好,通过XPS元素原子比定量分析和化合价能谱分析,两种合成粉末中的Ti、Nb、O三种元素原子比和TiNb₂O₇、Ti₂Nb₁₀O₂₉的化学计量比基本一致,主要元素Ti、Nb没有发生价态改变,说明固相反应充分,反应主要产物为TiNb₂O₇和Ti₂Nb₁₀O₂₉。（4）在烧结温度为1100℃的箱式炉中制备了不同TiO₂掺杂摩尔比的TNO陶瓷材料,研究了富钛端TiO₂掺杂量的提高对TNO烧结产物晶粒、力学性能、致密度、电学性能的影响。