论文部分内容阅读
通过外延生长得到的SiGe异质结构薄膜在高性能Si基器件上有着广泛的应用前景。近年来,随着低温Si缓冲层技术的提出,获得高质量、低位错密度的SiGe薄膜成为可能。对硅的位错形式和运动特性的研究对于进一步提高此类半导体器件的性能提供了理论上的帮助。晶体的位错对于材料力学性能、电学性能和光学性能等性质有很大的影响,关于此方面的研究一直存在广泛的争议,尤其在金刚石类型的晶体中,大部分仍处于未知阶段。本文主要是基于第一性原理的计算方法,对Si的各种空位和位错的形式,进行了计算与分析。