因为低成本和大面积的电子应用，有机半导体的研究十分热门。目前来说，对设计和开发新材料存在一个瓶颈，这就是对在有机半导体中具体的电荷传输了解不够。在有机半导形态的缺陷，或杂质通过影响间隙状态的能量分布，从而影响有机器件的性能。为了充分了解材料的基本机制，材料中的陷阱分布及其相关缺陷的性质是至关重要的。因为这些构成模型的材料中的微观结构特征，如晶界的影响被抑制，所以对高纯度有机单晶的研究是有必要的。单晶的研究可能使我们能够预测有机半导体的性能界限，以及帮助设计材料使其载流子迁移率不断增加。本文通过求解漂移扩散方程和Possion方程，从而计算有机半导体的空间束缚电流。计算中认为有机半导体是非简并的，是基于近期关于经典爱因斯坦关系适应性实验得出来的。虽然空穴密度的表达式是使用玻耳兹曼统计推导得出来的，但是在后续计算中也验证了其正确性。本文中分别使用Pasveer等人提出来的迁移率模型[Phys. Rev. Lett.94,206601(2005)]以及Blom等人对Pai提出来的指数模型的修正[Phy. Rev. B55, R656(1997)]来求解漂移扩散方程，得到迁移率和有效态密度的关系式。计算结果表明，Pasveer等人提出来的迁移率模型在低电压和高电压区域都不能很好的拟合Krellner等人单晶红荧烯实验[Phys. Rev. B75,245115(2007)]中得到的的J-V数据。而且从Pasveer等人的理论框架中提取出的一些参数，应该是常数，却表现出了随温度变化的关系，这是不自洽的。然而，采用指数模型得到的理论结果与实验数据拟合得很好，不管是在低电压还是高电压区域。而且从其理论框架中提取出的参数随温度变化的关系，与模型中描述的关系是一样的。文中证明了Blom等人提出来的简单表达式，可以很好地描述指数模型中的参数与温度的关系。还证实了从非简并的玻耳兹曼统计中推导出有效态密度和温度的关系是可行的。文中还计算分析了电势、电场以及空穴密度随外加偏压变化及温度变化的关系。通过分析左右势垒对电流电压关系的影响，得出了在我所用的模型中：处于恒定的温度下的器件中，对它施加一定的外加偏压，左端势垒对J-V曲线的影响主要在高压端，右端势垒对J-V曲线的影响主要在低压端。