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硅单晶薄膜作为MEMS器件中最常用的衬底材料,在MEMS中占有不可替代的作用,被广泛地应用于各种类型的微执行器及微传感器等微电子器件的制造中,其热膨胀性质在这些器件的设计及制造中具有重要意义:一方面衬底硅单晶薄膜与其他薄膜热膨胀系数的失配会产生热应力,从而引起微电子器件或者微机械结构的失效或损坏;另一方面,衬底硅单晶薄膜的热膨胀也能成为微热执行器的动力来源。硅单晶薄膜具有不同于其块体材料的热膨胀性质,基于理论研究和实验测量都有各自的不足,在本文中采用分子动力学的方法对其热膨胀性质进行了研究。本文基于