硒化镉(CdSe)晶体平均原子序数高，对射线的阻止本领强；禁带宽度大，电阻率高，漏电流较小；载流子的迁移率一寿命积较大，电荷收集效率高；化学稳定性好，不潮解，机械加工性能好。由于其具有上述优点，使CdSe成为一种新型的性能优异室温半导体探测器材料。但由于获得高质量的CdSe单晶比较困难，器件加工及制作工艺也还不成熟，制约了人们对CdSe核辐射探测器的深入研究及其核辐射探测器的应用。 目前，生长CdSe单晶的技术中，熔体生长技术需高压装置，且生长晶体电阻率较低；熔剂生长技术在晶体内部会残留微量熔剂，影响晶体性能：气相生长技术，因能制备出性能较好的单晶，电阻率达10~6Ω．cm而优于其余两种技术。但也还存在着一些尚未解决的问题，如完整性不够好、电阻率还不够高，使得生长晶体的质量还不够理想。为了改善探测器的性能，人们在器件加工制作工艺的研究上做了一定的工作，探测器的性能得到了一定的改进。但是能量分辨率仍然不够理想，工作稳定性也尚需进一步的提高。所以还需要对CdSe晶体生长和探测器制备工艺及其性能进行深入研究。 本文对CdSe单晶气相生长过程中的热力学参数进行了研究，计算了封闭体系中不同系统总压下平衡气相组成的变化，发现随系统总压力增大，平衡气相组成中分解组分所占的比例减小，晶体完整性增加：获得完整性较好单晶体的热力学条件是，采用较高的平衡蒸气压和较小的温度梯度：同时通过对CdSe