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氧化锌(ZnO)是一种新型的宽禁带Ⅱ-Ⅳ族化合物半导体材料,禁带宽度为3.37eV,激子束缚能为60meV。ZnO薄膜具有优良的光学、电学性能,在许多领域具有现实及潜在的应用,如表面声波器件、透明电极,紫外光探测器、发光二极管、压电器件、气敏传感器及平面波导等。近年来,随着短波长发光器件的广泛应用,ZnO薄膜作为直接带隙宽禁带半导体材料引起了国内外材料界的极大关注,成为继GaN之后光电研究领域又一热门研究课题。在本论文的工作中,我们采用射频磁控溅射技术在石英玻璃衬底上制备出了高质量的Zn