随着现代社会信息产业的飞速发展,对于电子元器件的要求也越来越高,高介电常数材料是电容元件存储密度和器件尺寸的决定性因素,探索高介电常数材料对于现代信息产业的发展具有重要意义。现在所使用的高介电常数材料主要以氧化物为主,对比了N与O的化学性质发现,N有着比O更高的原子极化率,这使得氮（氧）化物具有成为高介电常数材料的潜力。2017年报道的层状氮化物CaTiN2在104-106 Hz频率下80 K-450 K温度区内具有高体相介电常数1300-2500,但是对于它的机理解释并不是很清楚,因此我们想在CaTiN2结构式的基础上进行组成设计、多方法制备及结构与介电性质关系等方面的研究。（一）为探究CaTiN2高介电常数的起源,通过高温固相合成对CaTiN2进行了一系列的掺杂实验。通过对CaTiN2掺Sr的实验,我们发现CaTiN2的高体相介电常数可能来源于它Ti N5多面体的畸变,这为后续寻找高体相介电常数氮化物提供了一个理论指导。根据这个结论我们对CaTiN2进行掺Mg的实验,但没有成功,因为在高温下Mg3N2易挥发无法进入到CaTiN2的晶胞中,而低温下原料很难发生反应。之后还对CaTiN2进行掺Ba的实验,我们成功的将Ba掺入到了CaTiN2的晶胞中,但由于Ba3N2的挥发使得实际掺入量与理论掺入量严重不符。（二）在CaTiN2结构式的基础上设计和制备新型层状结构氮化物。我们成功合成了（MgTiN2）x（Ti N）y的固溶体样品,它是一个与Ti N结构类似的物相,但是对它介电性能进行测量的结果并不理想。对BaTiN2的合成由于原料比例的问题得到了BaTiN2和Ba2Ti N2.6的混合物相。在不同温度下对Ca Zr N2进行了探索合成都没有成功,因为在高温下Ca3N2容易被氧化使得反应很难进行。（三）研究已知氮化物的介电性能。由于Sr Zr N2陶瓷片烧结时产生了缺陷和空位,导致我们无法获得样品的本征性能。在Sr Hf N2电性能的研究过程中,我们发现Sr Hf N2在104-106 Hz频率下5-285 K温度区,其介电常数可达300-500。使用文献中报道的R-3m空间群对它的中子衍射数据进行精修,但拟合效果不佳。使用R3m空间群进行精修后拟合效果更好,因此认定空间群R3m更适合Sr Hf N2,另外R3m是非中心对称空间群,这有可能是Sr Hf N2具有高介电常数的原因。（四）在CaTiN2结构式的基础上进行设计和制备新的氮氧化物,我们尝试用高温固相法和软化学法对KTi NO进行合成,但没有成功。因为样品在低温下易生成钛酸钾类的氧化物,而在高温下K易挥发,Ti4+也容易被氨气还原,因此很难得到目标化合物。使用高温高压法对NaTiNO进行了探索合成,我们尝试了10GPa、5GPa和2GPa的不同压力条件下对样品进行合成均没有得到目标化合物,但在2GPa的压力条件我们可能得到了一个新物相。