随着半导体材料生长技术与器件制造技术的日益进步、特别是GaN和AlGaN分子束外延生长技术的日益完善，AlGaN/GaN基器件在半导体行业得到广泛的应用。然而，随着应用过程中的深入，这一类器件的弱点也逐渐暴露出来，而这些弱点与器件的结构和制备工艺紧密相关。　　 本文针对AlGaN/GaN基器件中典型的整流器件——具有高反向击穿电压的高速金属/AlGaN/GaN横向异质结肖特基二极管，以改进结构和优化性能为出发点，通过理论计算指出金属/AlGaN/GaN横向异质结肖特基二极管中存在电流集边效应，并讨论了这一效应导致的温度分布差异以及由此而来的电流、温度正反馈直至最后器件失效等危害。首次提出了采用多晶硅层的方法来有效地缓解电流集边效应，改善了金属/AlGaN/GaN横向异质结肖特基二极管的电流均匀性。　　 对自行研制的高密度等离子体增强化学气相淀积(PECVD)和反应离子刻蚀(RIE)系统的磁场进行优化设计，这一设计提高了制备器件掩模SiN的沉积速率和质量以及刻蚀速率和深宽比等。　　 研究了宽禁带半导体器件制备过程中的光刻，刻蚀，沉积等工艺.给出了最佳的实验参数和结果.最后研究了肖特基二极管中欧姆接触和肖特基接触金属电极的制备，并给出了比接触电阻和淀积参数。