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通过在聚合物中引入纳米粒子形成的纳米粒子/聚合物复合材料，一方面可以利用聚合物分子链之间的排斥作用有效防止纳米粒子的团聚，另一方面聚合物材料可以为纳米粒子提供基体，利用聚合物材料加工性能良好等优点可以制备各种器件，因而这种复合材料有着良好的应用前景。本文在纳米粒子/PMMA复合材料的制备及性质研究方面做了一些探索，取得了如下主要结论：1．利用高温热注入法(Hot injection)，分别以三辛基氧化膦(TOPO)和油酸(OA)作为包覆剂制备了CdSe纳米粒子；用溶胶-凝胶法制备了ZnO纳米粒子。在此基础上，用共混法制备了CdSe/PMMA和ZnO/PMMA纳米复合材料。2．CdSe/PMMA复合材料的荧光光谱(PL)表明：TOPO包覆的CdSe/PMMA复合材料的发光峰很宽，表现为中心波长为478nm、半高宽为150nm左右的宽化的单一峰；而OA包覆的CdSe/PMMA纳米复合材料除了在510nm附近有发光峰以外，在400nm附近还有发光峰，它与PMMA有关。上述结果表明CdSe/PMMA纳米复合材料的发光与CdSe纳米粒子的包覆剂有关。3．OA包覆的CdSe/PMMA纳米复合材料在激光持续辐照下，PL谱上表现出与PMMA有关的发光峰不断减弱、而与纳米粒子有关的附近的发光峰不断增强且稍许红移。TOPO包覆的CdSe/PMMA纳米复合材料在激光持续辐照下，单一的发光峰也表现出红移。我们把这一现象的起因归结为CdSe纳米粒子的表面修饰在激光辐照下发生变化以及CdSe纳米粒子与PMMA基体之间存在能量转移。4．PL谱表明：本文中所制备的ZnO纳米粒子380nm附近的近带边发光弱于550nm附近与深能级相关的缺陷发光，而ZnO/PMMA纳米复合材料在380nm左右的发光却强于550nm左右的发光。上述现象表明：PMMA基体钝化了ZnO纳米粒子表面的缺陷。5．将CdSe/PMMA纳米复合材料拉制成光纤，它的透光率与未掺杂的PMMA光纤相比，在可见光的长波波段(600nm以上)可以相比拟。随着传输光波长的减小，复合材料光纤的光通过率比未掺杂的PMMA光纤材料下降得更快，这是由于部分波长较短的光被CdSe纳米粒子吸收。用小于CdSe纳米粒子发光波长的光做光源可以激发CdSe纳米粒子发光，使得CdSe/PMMA纳米复合材料光纤成为有源光纤，这一性能将有可能在光增益器件方面有潜在应用。