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随着超大规模集成电路中电子器件尺寸的减小和单位面积器件密度的增加，导致电子器件尺寸的收缩，金属导线变得更长和更窄了，电子电迁移电阻和电容就不能再忽视了。本文建立了一个动力学晶格蒙特卡罗(KLMC)模型，所谓动力学晶格蒙特卡罗就是每个沉积原子沉积到表面时必须停留在晶格格点上，吸附原子也只能在晶格格点间跳跃。通过跟踪大量的沉积粒子在沟槽上的沉积、吸附、扩散、凝聚和生长等行为，对沟槽填充进行了数值模拟。在模型中详细考虑了吸附粒子与最近邻和次近邻粒子之间的相互作用，本文就入射粒子的截止角、基底温度和沉积速度对沟槽填充的形貌的影响进行了研究。