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In203是一种非常重要的透明宽带隙的半导体材料,其直接带隙为3.55-3.75电子伏特(eV)。由于其特殊的电学、化学以及光学特性,In203成为生物传感、化学传感、太阳能电池、光催化、平板显示和光电子等领域的备选材料,从而受到了半导体科学研究界的广泛关注。本文采用V-L-S生长机制,利用气相输运沉积法(CVD法),以金属Au作为催化剂,通过改变不同的生长条件,在一定程度上实现了对In203形貌、密度等的控制,对其生长机制、光学和结构特性完成了系统的研究。利用CVD法,制备良好的In203