非掺杂的载流子选择性钝化接触材料由于禁带较宽、制备工艺简单等优点,被越来越多的用于晶体硅（c-Si）异质结太阳电池中。其中基于MoO_X空穴选择性钝化接触层的硅基太阳电池的能量转化效率已经达到23.5%。原子层沉积（ALD）技术具有保型性高、厚度均匀、可大面积制备和产业兼容性高等优势,在开发新型钝化接触c-Si异质结太阳电池中具有巨大的应用潜力。本文系统研究了ALD制备MoO_X薄膜的性质及其在硅基太阳电池中的应用,主要内容如下:首先,我们优化了ALD的生长温度,在140 ^oC下制备了基于c-Si（p）/MoO_X/Ag背面钝化接触的晶硅异质结太阳电池,并通过厚度优化获得了15.86%的效率。通过X射线光电子能谱、透射电镜等表征手段研究了热蒸发和ALD制备的MoO_X薄膜的差异。接着,我们尝试将UV辐照应用到ALD生长过程中,降低MoO_X薄膜中的O空位,太阳电池的开路电压获得了明显提高。此外,我们还通过优化ALD制备工艺,降低生长腔室的压力,将效率提高到了16.34%,这也是目前基于ALD方法制备的c-Si（p）/MoO_X异质结电池的最高效率。其次,我们研究了c-Si（p）/MoO_X和MoO_X/Ag的界面特性对太阳电池性能的影响。我们采用O₃处理c-Si表面,获得了钝化性能良好的c-Si（p）/MoO_X界面。通过在MoO_X/Ag界面插入一层超薄的Cr O_X,抑制了界面间Ag和O原子的扩散迁移。尽管太阳电池的初始效率（14.82%）略有降低,但稳定性获得了极大地提高,其效率在8个月内没有下降。最后,我们还通过AFORS-HET软件模拟了能带结构,为实验数据提供了理论支撑。综上所述,本文系统研究了ALD生长MoO_X薄膜的工艺和性质,并验证了其在MoO_X空穴选择性钝化接触制备中的独特优势和应用潜力,为ALD技术应用到非掺杂钝化接触太阳电池上的应用提供了支撑。