本文主要研究了SiC@SiO2纳米电缆包覆层厚度的可控处理及制备SiC@SiO2纳米电缆的原料残留物及SiC@SiO2纳米电缆的疏水改性；首先采用了煅烧法和溶液法分别对SiC@SiO2纳米电缆包覆层厚度进行了可控处理，对于煅烧法，分别考虑了煅烧温度和煅烧时间对SiC@SiO2纳米电缆包覆层厚度的可控处理影响；在煅烧温度为1300℃，煅烧时间为8h条件下，SiO2包覆层几乎完全被去除，但在煅烧过程中SiO2包覆层厚度无法实现有效控制。然而对于简单、高效、低成本的溶液法，不但可以获得带有SiO2包覆层厚度可控的SiC@SiO2纳米电缆而且还可以得到纯净的SiC纳米线；并推导出了固、液两相反应动力学方程，它的合理性也通过条件实验进行了验证。这个方程不但为得到SiO2包覆层厚度可控的SiC@SiO2纳米电缆提供了指导，还为其在特殊领域的应用奠定了实验及理论基础；另外，从带有不同SiO2包覆层厚度的SiC@SiO2纳米电缆的PL光谱中可以看出，SiO2包覆层厚度为3.03nm时，SiC纳米线的PL光谱强度最大。其次，以KH570、Si69和FAS为改性剂对制备SiC@SiO2纳米电缆的原料残留物进行了表面疏水改性，主要探讨了改性剂的用量、改性时间和改性温度对制备SiC@SiO2纳米电缆的原料残留物的表面疏水改性的影响；对于改性后残留物表面可以呈现疏水性能的机理作出了详细的解释，并且对于残留物表面改性的工艺参数进行了优选。以KH570为改性剂时，疏水改性的优选工艺参数为：改性剂的体积分数为2%、改性时间1h、改性温度60℃。优选条件下所得改性底料的接触角是107°。以Si69为改性剂时，疏水改性的优选工艺参数为：改性剂的体积分数为1%、改性时间3h、改性温度55℃。优选条件下所得改性底料的接触角是112°。以FAS为改性剂时，疏水改性的优选工艺参数为：改性剂的体积分数为1%、改性时间12h、改性温度20℃。优选条件下所得改性底料的接触角是134°。最后，以FAS为改性剂，对SiC@SiO2同轴纳米电缆进行了超疏水改性，改性过程中主要探讨了改性时间和改性温度对SiC@SiO2同轴纳米电缆的疏水效果的影响，并优选了疏水改性工艺，优化出的最佳工艺为改性剂的体积分数为1%，改性时间为24h，改性温度为25℃。在此工艺条件下所得到的产物表面的接触角为153°，呈现出了超疏水的性能，并且此表面的超疏水性具有长期的化学稳定性。值得注意的是，在产物超疏水改性前后，产物的微观形貌、结构和结晶度几乎没有发生变化。另外，对于改性后产物表面可以呈现超疏水性能的机理作了详细的分析。因此，此方法可以大规模的疏水处理SiC@SiO2纳米电缆，为其在自清洁及疏水领域的应用奠定基础。