金属与金属氧化物在气敏、光催化与太阳能电池等方面有着极为重要的应用,通过磁控溅射法制备的金属氧化物薄膜,具有纯度高、致密性好、可控性强、与基底附着性好等优点,因此磁控溅射技术被广泛应用于工业化生产制备大面积、高质量的薄膜。我们通过磁控溅射法制备了氧化铜纳米线阵列薄膜,并研究了其气敏性质;除此之外,我们还通过磁控溅射法制备了TiO₂/WO₃复合薄膜,研究了两者之间的电荷传输性质:基于磁控溅射法,我们主要开展了以下三个方面的工作:（1）采用磁控溅射法在掺氟二氧化锡导电玻璃（FTO）衬底上溅射金属铜薄膜,所制备的Cu薄膜通过在管式炉中退火氧化生长,可得到CuO纳米线阵列薄膜。用X射线衍射仪（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）、高分辨透射电子显微镜（HRTEM）对其形貌和结构进行了表征,并研究了这种通过磁控溅射法得到的CuO纳米线阵列薄膜对CO和H₂S的气敏性质,研究结果表明:CuO纳米线阵列薄膜在250℃时对CO气体具有最强的气敏响应,并且当CO浓度增大时其气敏响应明显增强;而对于H₂S气体,在常温下CuO纳米线阵列薄膜能够对低浓度的H₂S气体响应,说明这种CuO纳米线阵列薄膜可以在常温、低浓度下探测H₂S气体;与CO气体不同的是:当测试温度升高时,其电阻值在H₂S气体氛围中迅速减小,我们对这种异常的电阻变化现象进行了解释。（2）采用双极脉冲磁控溅射法制备了TiO₂、WO₃与TiO₂/WO₃复合薄膜,我们采用瞬态光电压谱技术研究了三种薄膜在光照下光生电荷的动态传输特性,对于TiO₂/WO₃异质结薄膜,其瞬态光电压信号与TiO₂、WO₃的信号相反,其瞬态光电压值几乎为TiO₂、WO₃的3倍。这些现象说明TiO₂与WO₃之间形成的界面对光生电荷的分离起着重要的作用。我们对TiO₂与WO₃界面间的电荷传输与分离过程作了详细的讨论和解释。（3）利用磁控溅射法在硅基底上制备超薄金属铜薄膜,通过严格控制沉积时间从而实现控制膜厚的目的,探索磁控溅射法制备金属超薄膜的工艺和条件。研究结果表明:对于铜薄膜,溅射10秒未形成完整的薄膜,30秒后可形成致密、完整的薄膜;并且随着溅射电压的增大,粒径增大;同时我们也对电流、气压及靶基距对薄膜的影响作了分析;通过对这些金属超薄膜进行后期热氧化处理可以制备出金属铜与金属锌的氧化物薄膜。