竹节型碳纳米管制备及其机理的研究

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【摘要】

：

本论文工作用化学气相沉积(CVD)系统制备碳纳米管,特别是竹节型碳纳米管,并研究其制备条件对碳纳米管的形貌、生长速率的关系及影响。第一部分主要分析讨论制备条件(反应气体、偏压大小等)对碳纳米管的生长和形貌的影响。利用等离子体增强化学气相沉积(PCVD) 系统和热灯丝化学气相沉积系统(HCVD),在沉积有Ta过渡层和NiFe催化剂层的Si 衬底上制备碳纳米管,并用扫描电子显微镜(SEM) 和透射电子

【作者】

：

郑坤

【机构】

：

北京工业大学

【发表日期】

：

2005年01期

【关键词】

：

竹节型碳纳米管化学气相沉积(CVD) 扫描电子显微镜(SEM) 透射电子显微镜(TEM)

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