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本论文采用高温固相法制备了Sr3GaO4F∶Eu3+，Sr3GaO4F∶Tb3+荧光体，通过XRD、PLE及PL等测试手段对产物晶型进行表征并研究掺杂离子浓度、反应温度、保温时间及共掺杂敏化离子对发光性能影响并探讨变化机理，得到以下结论。
通过高温固相法合成荧光体Sr3GaO4F∶Eu3+，并对产物晶型及性能进行表征，结果表明当反应温度为1080℃，Eu3+掺杂浓度达到0.2时，主发射峰618nm处源于Eu3+5D0→7F2的跃迁发射峰强度最佳。此外研究了电荷补偿对粉体发光性能的影响，结果证明当nNa+∶mEu3+=1∶1时，且n=m=0.1时，发光增强效应最佳。同时讨论了Bi3+共掺对粉体红光发射的增强效应，得到发光性能最佳的分子式Sr2.74GaO4F∶0.06Eu3+,0.2Bi3+。
采用高温固相法制备荧光体Sr3GaO4F∶Tb3+，通过对其激发及发射谱图的研究，发现激发谱呈现两部分激发峰，一部分位于250-300nm之间，源于Tb3+4f-5d跃迁;另外450-600nm处的峰是由于Tb3+的f-f能级组的跃迁产生，强度很弱。当反应温度在1000℃，Tb3+掺杂浓度为0.08时，其主峰546nm处的发光强度最佳。另外进一步研究了Ce3+/Tb3+共掺对发光性能的影响。通过激发以及发射谱的研究发现对于任意浓度的Tb3+，Ce3+引入都会使546nm处Tb3+特征发射峰强度增加，随着Tb3+掺杂浓度提高，Ce3+的特征发射减弱，Tb3+特征发射增强，证明存在Ce3+→Tb3+能量传递现象。而当低浓度Tb3+掺杂时增强效果尤为明显。最佳分子式Sr2.88GaO4F∶0.08Ce3+，0.06Tb3+。