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采用水热法制备了共掺杂的全色Zn2SiO4:Ti, Mn, Eu发光粉,SnO2:Eu3+纳米晶,ZnO:Eu3+(0.5.at.%)纳米晶。采用X射线衍射仪(XRD),荧光光谱仪进行分析,研究了发光粉的晶体结构和发光性质。采用水热法制备了不同掺杂浓度的Zn2SiO4:Ti, Mn, Eu系列荧光粉,不同掺杂浓度的Zn2-xSiO4:xTi4+系列荧光粉以及白色荧光粉Zn2SiO4:Ti, Mn, Eu系列。XRD表明样品均为纯相硅锌矿结构的Zn2SiO4。荧光光谱检测表明:Zn2-xSiO4:xMn2+系列发光粉的激发谱由Zn2SiO4基质吸收带和Mn2+的电荷迁移带组成,发射谱由Mn2+的4T1-6A1跃迁发射形成,Zn2-xSiO4:xMn2+发光强度随Mn2+掺杂浓度增加而增强,当样品掺杂浓度高于3.0 at.%时出现浓度淬灭。Zn2-xSiO4:xTi4+系列样品的激发谱由属于Ti4+电荷迁移带的宽激发带组成,发射光谱起源于Ti4+的2E-1T跃迁。当Ti4+掺杂浓度在2.5at.%时出现浓度淬灭。通过对不同掺杂离子浓度的调节,实现了En, Mn, Ti共掺杂Zn2SiO4发光粉的白光发射。采用水热法合成了SnO2:Eu3+纳米晶,并在不同温度下对此样品进行热处理。XRD表明实验制备得到的样品均为纯相金红石结构的SnO2。样品的颗粒随热处理温度的升高而增大。光谱研究表明,热处理后的样品激发谱中除含有Eu3+的f-f跃迁的特征激发峰外还有O2--Eu3+电荷迁移带,但未经热处理的样品不出现电荷迁移带,发光强度热处理温度成反比。采用水热法合成了ZnO:Eu3+(0.5.at.%)纳米晶,通过改变实验条件实现了纳米晶尺寸的完全可控。XRD分析表明样品均为纯相纤锌矿结构的ZnO。颗粒越小,样品的发光强度越大,经过热处理后,ZnO:Eu3+(0.5.at.%)纳米晶发光强度明显减弱,发射峰产生红移。