基于MoS2/InN异质结纳米材料的制备及H2检测性能研究

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【摘要】

：

二维过渡金属硫化物纳米材料和Ⅲ-Ⅴ族半导体纳米材料具有独特的物理特性及优异的电学性能,因而引起世界各国专家学者的广泛关注。本论文分别从MoS_2和InN纳米材料的生长制备与测试表征、MoS_2纳米材料光催化降解性能和由MoS_2/InN异质结纳米材料所构成的检测装置对H_2气体性能检测三方面进行相应的研究,包括:(1)归纳和总结了InN纳米材料和MoS_2纳米材料的晶体结构、物理基本特性和常见的一

【作者】

：

刘敏

【机构】

：

西南科技大学

【发表日期】

：

2017年05期

【关键词】

：

InN纳米材料 MoS2纳米材料异质结材料光催化降解 H2检测性能

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