射频功率放大器是无线通信设备中的关键部件之一,它用途广泛、性能要求高且制造难度大。因此,本论文结合目前无线通信设备市场的需要,对两种不同频段,不同工作模式的射频功率放大器进行了研究,并利用2um GaAs HBT工艺对5GHz WLAN功率放大器单片,高效率F类对讲机功率放大器模块进行了设计和研制,取得的主要创新成果如下:1.成功研制出工作频段为5.15～5.25GHz的WLAN功率放大器单片,采用AB类线性功率放大器工作模式。测试结果基本满足设计指标,增益达27dB以上,1dB压缩点输出功率20.5dBm,增益平坦度小于0.5dB,效率35%。2.成功研制出工作频段为405～415MHz的对讲机功率放大器模块,采用F类开关功率放大器工作模式。测试结果完全满足设计指标,增益达22dB以上,饱和输出功率1W,效率66%,各阶谐波均小于-70dBc。3.利用在国外流片的工艺来实现功放MMIC的研制,创新性主要是电路和版图的设计。在偏置电路的设计中,采用了电阻补偿的方法,对温度和偏置电压的变化对射频功率晶体管工作状态的影响进行了补偿。版图的设计不仅减小了寄生干扰而且缩小的版图的面积,使射频功率放大器性满足设计指标的情况下成本最小化。