光场定域化指光在介质中沿某一方向无衍射的传播,束宽保持不变（不展宽）的现象。由于低耗散,光场定域化成为近几年的研究热点。实现光场定域化的介质有多种,本文以基于EIT的H-G介质及自聚焦PT介质为例,分别研究了在这些介质中光场定域化的一些重要性质。本文的EIT介质以N型四能级⁸⁷Rb原子作为模型,运用密度矩阵的方法求解介质的极化率,分析介质的极化率与信号场的吸收和色散特性之间的关系。在EIT介质中,以厄米余弦高斯光束作为控制场,调制介质折射率呈现准周期的横向分布。减小控制光场的失谐,信号场沿着传播方向实现由发散到定域的转变。在PT介质中,研究了光束在一维PT势调制的自聚焦克尔非线性介质中的横向定域化现象,当PT对称势的空间频率逐渐减小到低于阈值频率时,信号光场实现定域化,随着空间频率减小,定域化进一步增强。介质中如果引入缺陷,正缺陷还是负缺陷均可增强信号光场的定域化现象。本文包括五个章节。第一章,主要介绍光场定域化的基础知识。介绍了安德森模型,AA模型,分别列举了光在光子晶体、EIT介质和PT对称晶格中实现的定域化现象。第二章,介绍本文使用的数值计算方法。第三章,在N型冷的四能级⁸⁷Rb原子介质中研究了光场定域化现象,使用厄米余弦高斯光束作为控制场,在中心区域诱导介质产生准周期的横向分布,随着控制场失谐的减小,信号光场在其中无吸收的传输产生定域化现象。第四章,在一维PT对称介质中,通过减小PT对称势的空间频率,信号场实现定域化现象。介质中存在缺陷（正、负缺陷处）时,随着缺陷强度的增加,信号场被定域。第五章为本文的总结与展望。