由于在1.3μm稀土掺杂光纤放大器等通讯领域可能获得重要应用,稀土掺杂的GeS₂-Ga₂S₃硫卤玻璃的光谱发射性能引起了人们广泛关注。基于同主族元素In和Ga化学性质的类似,可以推测In₂S₃-基硫卤玻璃也该具有同样的潜在应用。但是,关于GeS₂-In₂S₃硫卤玻璃结构与性能的研究文献极少,特别是关于稀土掺杂的GeS₂-In₂S₃硫卤玻璃的基础研究文献几乎没有。由于玻璃中的稀土离子光谱发射性能均与玻璃的微结构和基础性质有非常密切的关系,因此,上述硫卤玻璃的组成、结构与性能研究具有重要的理论意义和应用价值。本文利用X-射线衍射谱、拉曼光谱、热差分析、紫外-可见-近红外光谱、荧光光谱和折射率对GeS₂-In₂S₃-CsI硫卤玻璃体系的组成、结构和性能关系进行了深入的研究和分析,获得了下述主要结论:1.GeS₂-In₂S₃-CsI硫卤玻璃具有好的成玻区,In₂S₃和CsI的最大掺量分别为30mol%和45mol%;2.研究了GeS₂-In₂S₃-CsI硫卤玻璃的拉曼谱,该玻璃网络的基本结构基团主要由锗硫四面体GeS_4/2、铟硫碘混合四面体InS_4-xI_x和类乙烷结构基团S₃In-InS₃组成;随着CsI引入玻璃网络,类乙烷结构基团的逐步消失;Cs⁺离子在玻璃网络中以非桥硫或者碘为最近邻配位,起电荷补偿的作用;3.GeS₂-In₂S₃-CsI硫卤玻璃具有相对较高的玻璃转变温度,好的热稳定性和较高的折射率。随着碱金属CsI含量的增加,玻璃的短波吸收限向短波方向移动、玻璃的转变温度下降。4.通过J-O理论对Dy3+掺杂的GeS₂-In₂S₃-CsI硫卤玻璃进行了理论计算,其1.3μm能级的实际测量能级寿命随着CsI含量增大而延长。