功率槽型MOSFET具有低功耗,便于集成,体积小等优良特性,这些特性使其成为低压高频领域中最流行的器件之一。然而普通功率槽型MOSFET的栅漏电容(C_gd)很大,导致器件开关转换时间长,开关功耗大。提高开关特性一直是功率槽型MOSFET器件的研究热点。为了改善功率槽型MOSFET的开关特性,本文提出了三种功率槽型MOSFET器件。（1）提出了一种浮空多晶硅结栅控MOSFET结构（FJT-MOSFET）。新结构在栅内引入多晶硅PN结,PN结电容在栅电极与漏电极之间产生隔离作用,降低了栅漏电容,进而改善了开关特性。与普通功率槽型MOSFET结构相比,新结构的特征导通电阻(R_on,sp)降低了31.65%,栅漏电荷(Q_gd)降低了12.39%,R_on,sp·Q_gd降低了39.81%。新结构改善了功率槽型MOSFET的开关特性,综合性能得到提高。（2）提出了一种梯形栅控MOSFET结构（TGC-MOSFET）。新结构将深槽分割为梯形多晶硅栅和梯形氧化层,对称的器件结构将漂移区夹在氧化层之间。梯形氧化层优化了漂移区电场,改善了R_on,sp和击穿电压（BV）的折衷关系。与普通功率槽型MOSFET结构相比,新结构的BV提高了12.71%,R_on,sp降低了75.79%,R_on,sp·Q_gd值增加了11.6%,BV和R_on,sp的优值(FOM,FOM=BV²/R_on,sp)提高了4.2倍。（3）提出了一种P型多晶硅增强型MOSFET结构（PE-MOSFET）,该结构是在TGC-MOSFET的基础上改进得到。其中梯形多晶硅区域下侧的三角形部分和上侧矩形部分掺杂类型不同,下侧为P型掺杂,上侧为N型掺杂。器件开关转换过程中栅内电势重新分布,P型多晶硅改善了器件的开关特性。与普通功率槽型MOSFET结构相比,新结构的BV提高了7.59%,R_on,sp降低了77.38%,R_on,sp·Q_gd值降低了45.15%,FOM提高了4.1倍。