【摘 要】
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本文介绍了如何利用物理气相沉积的技术制备并五苯晶体薄膜,并且进一步制备有机物并五苯场效应晶体管(OTFT)的方法。采用扫描电镜(SEM)和X射线衍射谱(XRD)对并五苯薄膜进行分
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本文介绍了如何利用物理气相沉积的技术制备并五苯晶体薄膜,并且进一步制备有机物并五苯场效应晶体管(OTFT)的方法。采用扫描电镜(SEM)和X射线衍射谱(XRD)对并五苯薄膜进行分析,扫描电子显微镜照片显示并五苯薄膜的表面比较平坦,X射线衍射谱显示并五苯薄膜具备良好的结晶特性。生长温度以及携带气体的流速影响并五苯晶体结构和表面形貌。并五苯薄膜在生长温度为230℃,携带并五苯的保护气体流速为0.06m~3/h的条件下生长得最好。 制备并五苯晶体管需要使用热氧化法制二氧化硅作为晶体管的栅极绝缘层,真空蒸发的方法制备AuGeNi栅电极,然后在栅极氧化层的表面覆盖自制的掩模,在真空蒸发台上制备金电极作为源电极与漏电极,最后一步就是采用物理气相沉积的方法制备并五苯活性层,覆盖在场效应晶体管的沟道上面。 并五苯场效应晶体管的测试设备使用了XJ4830智能化半导体管特性图示意,通过该测试仪可以测得并五苯场效应晶体管的I-V特性曲线。通过该曲线可以分析出晶体管表面并五苯活性层的载流子迁移率约为0.3cm~2/V·s,同时发现晶体管的源漏电压(V_d)在2～4V时便可以驱动,说明该并五苯场效应晶体管具有低电压特性。
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