基于有机半导体/绝缘高分子复合材料的有机薄膜晶体管从出现一开始就引起了人们的普遍关注，它不仅传承了有机半导体可溶液加工的优点，而且通过与另外一种功能性的绝缘高分子材料共混，节约材料，提高环境稳定性的同时，又赋予了半导体材料新的功能特性，比如良好的力学性能，低温可塑性，光敏性等，为制备性能稳定，低功耗，可挠性有机电子器件提供了更广泛的发展空间。本论文研究了聚噻吩复合材料有机薄膜晶体管的制备与其性能，主要工作如下：（1）选择聚3-己基噻吩（P3HT）/聚己内酯（PCL）双晶共混体系，制备了一系列不同配比的共混物有机薄膜晶体管。研究电学性能发现，随着共混物中P3HT的含量的减少，薄膜晶体管的场效应迁移率、开关电流比和阈值电压等性能缓慢降低。但当P3HT含量为40%时，共混物薄膜仍具有较好的场效应性能，其迁移率为0.008cm²V^-1S^-1，开关电流比为5x103，阈值电压为45.5V。应用原子力显微镜对共混物薄膜表面形态的研究表明，共混物在成膜时产生了明显的垂直相分离，在绝缘层界面处形成了连续的半导体层，有利于载流子的传输。（2）制备了可低温熔融加工的P3HT/PCL（1/5）共混半导体材料，在该共混物中，P3HT组分形成纳米纤维网络分散在PCL集体中，使得P3HT含量只有20%时，仍具有较好的电性能，且加工温度低至60oC。经试验得出，应用低温熔融法制备的器件迁移率为1.1×10^-2cm²V^-1s^-1，开关电流比为10⁴，共混膜的断裂伸长率为300%。（3）将P3HT与可光交联的聚肉桂酸酯（PVCn）共混，制备可紫外光交联的半导体共混物，因P3HT组分形成纳米纤维网络分散在PVCn基体中，所以共混物仍具有良好的电性能，而可光交联的PVCn基体则为光图案化提供了基础。制备的图案化的TFT器件开关电流比高于10⁵，迁移率也高达0.015cm²V^-1s^-1。