太赫兹电场激励BaTiO3铁电薄膜畴翻转的多尺度模拟

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铁电存储器具有写入速度快、功耗低以及抗辐射性能优异等特点,是极具应用潜力的下一代高性能存储器之一。铁电畴翻转作为铁电薄膜中各种物理现象和过程的基础,直接决定和影响着铁电薄膜的物理性能及应用。大部分铁电体的畴翻转是基于原子位移进行的,通常发生在皮秒时间尺度,是一个超快的动力学过程。现有的畴翻转观测方法,如透射电子显微镜和压电力显微镜,时间分辨率较小,无法捕捉到上述超快畴翻转的动态信息。飞秒激光提供的超短脉冲可以在实验上实现超高时间分辨率,同时还可以激发太赫兹光源产生太赫兹电场用于写畴。基于此,我们提出
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