本课题主要是研究铝阳极氧化膜的半导体性质,比较了不同封闭后氧化膜的半导体性质。利用PDM理论建立数学模型对铝金属的金属/氧化膜、氧化膜/溶液界面进行了分析和研究,建立简单的数学模型并对模型进行计算和比较,相位角和阻抗的试验数据同模型较好吻合。通过Mott-Schottky理论对铝阳极氧化膜的半导体性质缺陷数量和平带电位进行了计算,并用来预测铝阳极氧化膜耐蚀性的优劣。得到的数学模型能较好的符合EIS谱的测量,封闭和未封闭的阳极氧化膜均为n-型半导体,氧空穴的扩散系数为（1.12～5.53）×10^-14cm^-2·s^-1,不同的封闭后平带电位有差别,依次为:未封闭＞沸水封闭＞重铬酸钾封闭＞铈盐封闭,得到的耐蚀性:铈盐封闭＞重铬酸钾＞沸水＞未封闭。通过研究在NaCl溶液中,不同封闭的铝阳极氧化膜的电化学交流阻抗谱（EIS）,评价铈盐,重铬酸钾,沸水封闭效果的优劣。M-S理论计算平带电位,预测腐蚀的方法与用电化学交流阻抗谱测得结果一致。对所得实验数据的拟合,得到封闭后的Rp和Cp建立铈盐在NaCl侵蚀性溶液中的阻抗模型。