本文对调制掺杂GaAs/AlGaAs 2DEG和InAs量子点材料的制备及特性进行了研究。主要内容如下： 1、通过对MD-GaAs/AlGaAs 2DEG结构设计和生长工艺优化，获得了77K电子迁移率(μ<,77K>)高达1.86×10<5>m<2>/Vs的2DEG材料，并对其电学输运性质进行了深入、系统的研究。 2、利用实验测得的电子迁移率数据，计算得到了2DEG的电子输运散射时间为τ<,t>=42.3ps；利用SdH振荡曲线及其快速傅立叶变换得到了样品的Dingle图，由此得到样品的量子散射时间τ<,q>=0.64ps。分析讨论了影响MD-GaAs/AlGaAs2DEG材料输运散射时间和量子散射时间的散射机制。 3、研究了MD-GaAs/AIGaAs 2DEG的持久光电导效应(PPC)及其子带电子分布特性。 4、通过SdH曲线及其快速傅立叶变换(FFT)，研究了2DEG系统在光照前后的子带电子分布特性。 5、研究了多层耦合量子点的特性，有效地解决了由于各层成点时间不同而导致的量子点的双模分布的问题。