ITO薄膜红外低发射率机理研究

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【摘要】

：

本文采用直流磁控溅射的方法,在柔性PET基片上制备不同工艺条件下的Indium Tin Oxide (ITO)薄膜材料样品。利用X射线衍射,台阶仪,紫外-可见-近红外分光光度计,傅立叶红外光谱仪,霍尔效应测试仪等设备对ITO薄膜样品的基本结构,可见及红外波段的光学性质以及电学性质进行表征和分析,得到不同工艺参数对ITO薄膜有关性质可能产生的影响。综合分析了ITO薄膜结构及光电各种性质之间的内在联系

【作者】

：

殷学松

【机构】

：

电子科技大学

【发表日期】

：

2010年04期

【关键词】

：

ITO薄膜红外发射率光电性能

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