靶材是一种具有高附加价值的特种电子功能材料,是溅射镀膜必不可少的源材料。TiO₂基陶瓷是重要的半导体和光学材料,Nb掺杂Ti O₂靶材制备的薄膜（NTO）属于新型透明氧化物薄膜,NTO薄膜在可见光范围内有透过率高（>80%）,导电性好等优点,而且性能稳定,刻蚀性好。TiO₂在自然界中储量丰富,并且对环境友好无毒性。本论文主要采用常压、Ar气、真空和SPS烧结4种方式对NTO陶瓷靶材进行烧结。主要内容和结论如下:（1）本文采用粉末冶金的方法来制备NTO靶材。对制备过程中的球磨、干燥、造粒、成型、脱胶等工艺进行了初步的探索,系统地研究了烧结温度对NTO靶材的影响。（2）生坯成型时容易出现开裂,为了解决这个问题,本文采取加成型剂和限高器,调节油压机的压力为最小压力100 MPa下压制的生坯不会出现开裂。根据DSC的结果表明,在220℃、430℃、570℃、680℃进行保温能够有效脱去残留在生坯中的有机成型剂。（3）对烧结温度的探索。通过试验最终确定,常压烧结最佳温度为1350℃;通Ar气烧结最佳温度为1300℃;真空烧结最佳温度为1150℃;SPS烧结最佳温度为1200℃。（4）经XRD显示,在常压烧结下,1200℃烧结得到的NTO靶材为金红石相,结晶度良好。当烧结温度为1450℃,靶材主要结构依旧显示为金红石相,但衍射峰强度有了很大程度的衰弱,并出现了其它衍射峰,经分析得出靶材已经有NbO₂和Ti₂O₃生成;通Ar气烧结没有杂相生成;在真空下烧结的陶瓷靶材,1150℃以下时,无杂相出现。1200℃以上NTO靶材有Ti₉O₁₇、Ti₃O₅和Ti₂O₃生成;SPS烧结下1200℃制备的陶瓷靶材衍射峰强度较低,但没有出现第二相,当温度达到1300℃时,靶材XRD衍射峰杂乱无章,有杂相生成。（5）对比常压、Ar气、SPS和真空4种不同的烧结方式。靶材导电性最好的是真空烧结得到的,但是真空烧结的靶材致密度低,容易出现第二相。最具优势的是SPS烧结,首先是烧结温度低,烧结时间短、效率高,最重要的一点是烧结得到的靶材致密度高,晶粒小,颗粒均匀,导电性好。