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近年来,半导体金属氧化物在太阳能电池、光催化、光探测器等方面都有广泛的研究和应用。其中,非化学计量比的单斜相W18049由于具有比较狭窄的带隙能级、光谱响应波长范围很宽并且导电性能比较优秀的特点,在清洁能源、光催化降解污染物质、光探测器技术和光致变色等领域有广泛的应用前景。本文主要制备了 W18049纳米材料和CsPbBr3等相关材料,并进行了材料的表征。设计了CsPbBr3与W18O49等其他材料基金属-半导体-金属(metal-semiconductor-metal,MSM)型光探测器,并对这些MSM型光探测器光电性能进行了研究。具体进行了以下研究工作:(1)利用旋涂法合成了 CsPbBr3材料,使用XRD、SEM和UV-vis对CsPbBr3材料进行了表征,结果表明:实验制备了单斜相CsPbBr3纳米片,光吸收截止波长为539 nm。应用合成的CsPbBr3纳米片制作了 MSM型CsPbBr3光探测器,并使用I-t曲线对所制作的MSM型CsPbBr3光探测器的性能进行了研究,结果表明:所制作的MSM型CsPbBr3光探测器在1 V外加偏压下暗电流为0.6 nA,在17.6W氙灯照射下光电流上升响应时间为0.2 s,光电流下降响应时间为0.1 s,稳态光电流为0.6nA,信噪比为1,光响应度为3.41×10-11A/W。(2)利用溶胶凝胶法合成了 TiO2纳米材料,使用XRD对合成的TiO2纳米材料进行了表征,结果表明:实验制备了锐钛矿相TiO2。应用合成的TiO2纳米材料与CsPbBr3复合制作了 MSM型TiO2/CsPbBr3光探测器,并使用I-t曲线对其性能进行了研究。结果表明:所制作的MSM型Ti02/CsPbBr3光探测器在1V外加偏压下暗电流为10.5 nA,在17.6 W氙灯照射下光电流上升响应时间为0.2s,光电流下降响应时间为0.1s,稳态光电流为114.5nA,信噪比为10.9,光响应度为6.51 ×10-9A/W。(3)利用溶剂热法合成了 W18049材料,使用XRD和SEM对W18O49材料进行了表征,结果表明:实验制备了单斜相W18O49纳米线。应用制备的W18O49纳米线与CsPbBr3 复合制作了 MSM型W18049/CsPbBr3光探测器,并对所制备MSM型W18O49/CsPbBr3光探测器的光敏层的光吸收性能进行了研究,结果表明:W18O49材料层的引入使器件光敏层的吸光度提升约0.2。使用I-t曲线对所制备的MSM型W18049/CsPbBr3光探测器的性能进行了研究,结果表明:所制备的MSM型W18049/CsPbBr3光探测器在1 V外加偏压下暗电流为0.35 nA,在17.6 W氙灯照射下光电流上升响应时间为0.3 s,光电流下降响应时间为0.2 s,稳态光电流为200 nA,信噪比为570,光响应度为11.34×10-9A/W。(4)使用气氛还原法合成了 W18O49材料,使用XRD和SEM对W18O49材料进行了表征,结果表明:实验制备了相纯度高具有各向异性的单斜相W18O49纳米棒。应用(2)制备的TiO2纳米材料对W18O49纳米棒进行了包覆,使用TEM对包覆情况进行了表征,结果表明:TiO2纳米材料在纳米棒的表面形成不均匀包覆。应用W18O49@TiO2 与 CsPbBr3 复合制作了 MSM 型 W18O49@TiO2/CsPbBr3 光探测器,对所制备的MSM型W18O49@TiO2/CsPbBr3光探测器的光敏层的光吸收性能进行了研究,结果表明:W18O49@TiO2材料层的引入使器件光敏层的吸光度提升约0.9。使用I-t曲线对所制备的MSM型W18O49@TiO2/CsPbBr3光探测器的性能进行了研究,结果表明:所制备的MSM型W18O49@TiO2/CsPbBr3光探测器在1V外加偏压下暗电流为0.25 nA,在17.6 W氙灯照射下光电流上升时间为0.1 s,光电流下降时间为0.2 s,稳态光电流为210 nA,信噪比为847,光响应度为11.93×10-9A/W。与MSM型CsPbBr3光探测器相比,MSM型W18O49@TiO2/CsPbBr3光探测器的光响应度提升至350倍,信噪比提升至847倍。这表明对W18O49@TiO2材料列器件的光电性能有巨大的提升,在光电探测领域具有较好的实际应用潜力。