随着无线通信和军事新技术的发展，日益要求提高RF的性能，使之在更宽频带内，具有更高的输出功率、效率和可靠性。为了不断满足各种应用需求，人们不断改进微波大功率器件的性能。　　目前国内的自主芯片研发能力还不足，主要还是以进口为主，国内LDMOS研发起步比较晚，仅有少数高校或研究机构针对LDMOS进行理论的研究和器件结构上的调整，目前只是探索研发阶段，基本没有产品化生产，尤其是高频率、大功率输出的MOS器件，因此，自主开发RF功率MOSFET具有非常重要的意义。　　对于LDMOS在现代无线通信中的应用中高增益、低失真、高线性度的要求，本文对LDMOS的内匹配、器件输入输出阻抗测试以及相关微波功率放大器设计进行了研究。主要包括以下三个方面：　　(1)利用LDMOS器件中键合引线在高频下等效电感配合MOS电容进行封装，对器件进行内匹配。根据内匹配方法，设计T型匹配网络，采用EMDS软件对器件中不同长度、不同拱高、不同直径以及不同间距的Al-Si合金键合线进行建模仿真，利用ADS软件对仿真结果进行参数提取，将器件端口的输出阻抗从几欧姆提高到几十欧姆，同时提高器件的增益和输出功率。　　(2)LDMOS是在高频条件下工作的大功率器件，其输出功率会随着高频的变化而变化，器件的相关参数测试难度很大，一般的小信号输出测试所用的单一网络分析仪无法满足要求。本研究利用负载牵引系统，对器件进行在不同的频点下，不断调节输入输出端阻抗找到最大输出功率的输入输出匹配阻抗。　　(3)对微波器件进行直流偏置扫描，确定器件工作在AB类状态下的电压，根据测试得到晶体管的输入输出阻抗，设计放大器输入匹配网络和输出匹配网络，要使器件在工作频率范围内，使晶体管输入、输出都处于良好匹配状态，使晶体管放大能力达到最优。设计出射频功率放大电路，并了解其相关的性能参数。