通过用传输矩阵法来计算频率标度化与频率未标度化的光子晶体透射谱,研究了光垂直入射情况下,一维光子晶体中掺杂一层缺陷层时,光子晶体一级禁带内的缺陷模位置、半高宽、峰值等随缺陷层介质的光学厚度、缺陷层介质的折射率、光子晶体介质的光学厚度、缺陷层两侧的周期数等参数的变化关系,并将不同掺杂方式下得到的结论进行了比较,得出了较具体深入的缺陷模随各参数的变化规律。通过分析频率标度化后的光子晶体透射谱中的缺陷模,将不同的缺陷模联系起来,得到许多他们共有的规律。计算分析了一维光子晶体高级禁带内的缺陷模随各参数的变化规律,并将所得结论与一级禁带内缺陷模的变化规律相比较,总结出各禁带中缺陷模共有的规律。计算了缺陷层光学厚度为整数倍的1/4中心波长时各禁带内缺陷模,得出了不同禁带中的缺陷模一一对应的规律。