随着微波通讯的飞速发展,对低损耗微波介质陶瓷的要求也越来越高。本文旨在寻找具有低损耗的微波介质陶瓷新体系。本文制备了具有K₂NiF₄结构、ABCO₄化学组成的陶瓷,并对其微波介电性能、微结构,以及二者间关系做了研究。 本文采用固相反应烧结法合成了Sr系SrRAlO₄（R=Nd和Sm）陶瓷。发现于空气中、1450～1475℃下烧结3小时可以得到致密化的陶瓷。SrRAlO₄陶瓷晶粒随烧结温度升高而明显增大,其结果是大大降低晶界的数量,减小晶界内的缺陷,使品质因数Qf值随烧结温度显著增大。实验得到了具有良好微波介电性能的SrRAlO₄（R=Nd和Sm）陶瓷:SrNdAlO₄陶瓷:ε=17.8,Qf=25,700GHz,τ_f=4ppm/℃;SrSmAlO₄陶瓷:ε=18.8,Qf=54,880GHz,τ_f=4ppm/℃。 Ca系CaRAlO₄（R=Y,Nd and Sm）微波介质陶瓷同样具有良好的烧结特性。但通过背散射及XRD分析,发现CaYAlO₄和CaSmAlO₄陶瓷中有微区成份不均匀和少量第二相出现。CaRAlO₄陶瓷的介电常数可以通过克劳休斯—莫索缔方程得到很好的解释;而介电损耗和谐振频率温度系数的变化与K₂NiF₄结构中氧八面体的拉伸和压缩有关:阶梯扫描结果发现CaSmAlO₄陶瓷中氧八面体受到的综合应力最小,因而具有最大的Qf值;同时,氧八面体中心空隙随CaNdAlO₄、CaSmAlO₄和CaYAlO₄成份的变化逐渐减小,从而导致Al离子震动空间减小,τ_f值也依次减小。实验同样得到了具有良好微波介电性能的CaRAlO₄（R=Y,Nd and Sm）陶瓷:CaNdAlO₄陶瓷:ε=18.2,Qf=17,980 GHz,τ_f=-52 ppm/℃;CaSmAlO₄陶瓷:ε=18.2,Qf=51,060 GHz,τ_f=-3 ppm/℃;CaYAlO₄陶瓷:ε=18.9,Qf=39,960 GHz,τ_f=6 ppm/℃。 ABCO₄结构和相对应ABO₃结构的结构许容因子相对差值Δt%的大小可以用来判断K₂NiF₄结构的稳定性。当Δt%大于4.3%时,K₂NiF₄结构不稳定,例如CaLaAlO₄和SrYAlO₄陶瓷。为进一步研究、改善CaLaAlO₄的稳定性,制备了并研究了(Ca_1-xSr_x)LaAlO₄陶瓷,发现随着Sr置换量的增加,CaLaAlO₄的稳定性增加。当x=0.95时,只观察到极微量的Ca₃Al₂O₆第二相,此时获得较好的微波介电性能:ε=16.7,Qf=28,171GHz,τ_f=-52.4ppm/℃