高亮度大功率型A1GaInP红光LED是近年来发展的新型可见光LED。红光LED作为三基色的一种和蓝绿光LED组合在一起，变幻着五光十色。A1GaInP四元红光LED具有电流承受力强、发光效率高以及耐高温等优点，在照明、显示、指示灯中的应用具有不可替代的地位，广泛应用于照明的各个领域。深入分析其工作机理、优化材料外延生长工艺，研究管芯制作工艺，提高A1GaInP红光LED的亮度，改善散热条件等都具有非常重要理论意义和现实意义。　　 本论文在对外延技术进行了广泛研究的基础上，分析了高亮度功率型A1GaInP红光LED外延片的材料结构，并对本论文所用的外延片进行了相关的测试。对功率型A1GaInP红光LED的材料结构设计和版图设计进行了优化，有效地提高了GaAs基A1GaInP红光LED发光的外量子效率和电学性能。优化了大功率单面和双面电极AlGaInP红光LED管芯的部分工艺，包括：湿法腐蚀、金属剥离以及快速热退火工艺。摸索出较佳的湿法腐蚀液配比及腐蚀方法、剥离和退火工艺参数，有效地降低了接触电阻，提高了芯片性能。对制备好的管芯，进行了相关的电学和光学测试。对制备好的管芯进行了封装，并对封装好的LED进行了相关的电学和光学测试。分析比较了单面和双面A1GaInP红光LED，镀ITO的和未镀ITO的双面A1GaInP红光LED管芯与封装好的LED器件的电学与光学特性，得出了有益的结论。　　 本论文的目的是：通过电极形状的改变及工艺参数的优化，在GaAs基A1GaInP红光LED外延片上制作出发光效率很高的高亮度、大功率的红光LED芯片。