当今世界,随着电子工业的迅猛发展,为各种各样的电子产品提供高效的能源控制方案变得日益关键,同时也驱使着功率器件朝向更大功率的方向发展,尤其是大功率器件,正朝着高电压、大电流、高频率、高度集成和智能化的方向发展。GaN功率器件由于其大禁带宽度以及高饱和电子迁移率成为该领域的新兴材料。但是GaN功率器件一般为常开型器件,需要负压关断,所以有短路直通的潜在危险。因此常闭型级联GaN功率器件应运而生。作为大功率器件,级联型GaN功率器件的发热量很大,如果长期囤积在器件封装体内,会使得器件的结温升高,肖特基结恶化。因此,如何有效散热成为了一个突出的问题。在成品中,封装体散热是必要的散热途径,由于封装材料的不同,导致了散热的效果有很大差异。本文利用设计了一种实用的级联型GaN功率器件的封装方案,通过ANSYS软件仿真对方案的可行性做出了论证并出样品,并对样品的散热功能进行优化,通过红外热像仪进行了测试和分析。其主要内容如下:1.通过ANSYS有限元仿真软件对级联型GaN功率器件进行了建模,模拟了该器件的热源分布,在这个模型的基础之上研究了不同粘片材料、不同种类塑封料对器件散热的影响。仿真表明,器件的温度在TO-220FL的正常承受范围之内,而且不同封装材料对工作温度的影响很大。2.分析了级联型GaN功率器件在传统工艺和本实验电路之间的矛盾,提出了一个可行的级联方案,制作出TO-220FL封装形式的级联型GaN功率器件成品。并且探索了不同封装材料对散热效果的影响,通过红外热像仪测试,直流测试和脉冲电流测试表明,使用了散热性能更佳的器件,器件的性能得到明显的提高。并且实验结果和仿真数据的吻合度高,具有实际指导意义。