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随着微波通信技术的迅速发展,研究者们对微波介质陶瓷提出了更高的要求,低温共烧陶瓷(LTCC)更是该领域的热门研究方向。Li2O-Nb2O5-Ti O2(LNT)陶瓷具有介电常数高、品质因数高和频率温度系数小等优异的微波介电性能,并且其烧结温度相对较低(1100℃),相对于其他高介电常数的微波介质陶瓷(烧结温度一般在1300℃以上),更容易通过掺杂达到降烧的效果,而对其自身的微波介电性能影响却很小。LNT陶瓷是一种很有发展潜力的新型微波介质材料,有望通过掺杂降烧作为LTCC材料使用。本文主要包括了对LNT陶瓷的工艺优化和掺杂降烧两部分的内容。其中,在LNT陶瓷掺杂降烧的研究中,所采用的降烧剂主要有:Li-Al-B、Li-B-Si、V-Cu,其中Li-B-Si是采用不同摩尔比配制的两种降烧剂,分别记为S1和S2降烧剂。主要研究工作如下:(1)在球磨时间的对比实验中,研究表明,随着球磨时间的增加,可以在一定范围内改善LNT陶瓷的介电性能。当球磨时间为4小时时,取得最佳的微波介电性能:r?=69.14,?tg=6.37×10-4,Qf=5900GHz。(2)在球磨配比的对比实验中,研究表明,随着球磨配比中锆球和酒精所占比例的不同,LNT陶瓷的介电性能会有所不同。最终确定了粉料、酒精、锆球三者的最佳比例为1:0.75:6,其对应的优异微波介电性能为:r?=68.92,tg?=6.33×10-4,Qf=5829GHz。(3)研究了LAB降烧剂对LNT陶瓷介电性能的影响。研究表明,LAB降烧剂在一定程度上可以降低LNT陶瓷的烧结温度。当掺杂w(LAB)为3%时,LNT陶瓷可在950℃烧结致密,并获得了优异的微波介电特性:r?=61.23,Qf=4704GHz,f?=2.2ppm/℃。(4)研究了VC降烧剂对LNT陶瓷介电性能的影响。研究表明,VC降烧剂可以在一定程度上降低LNT陶瓷的烧结温度。当掺杂w(VC)为3%时,LNT陶瓷可在925℃烧结致密,并获得了优异的微波介电特性:r?=61.38,Qf=5420GHz,f?=-3.2ppm/℃。(5)研究了S1降烧剂对LNT陶瓷介电性能的影响。研究表明,在LNT陶瓷中掺入少量的S1降烧剂,即可达到很好的降烧效果,并且对LNT陶瓷本身的介电性能影响很小。通过XRD的分析可知,在掺入少量S1降烧剂的LNT陶瓷中没有出现第二相。当掺杂w(S1)为0.75%时,LNT陶瓷可在900℃烧结致密,并获得了优异的微波介电特性:r?=66.74,?tg=9.99×10-4,Qf=4347GHz。(6)研究了S2降烧剂对LNT陶瓷介电性能的影响。研究表明,S2降烧剂能够有效降低LNT陶瓷的烧结温度。通过XRD的分析可知,掺入少量S2降烧剂的LNT陶瓷中也没有出现第二相。当掺杂w(S2)为0.75%时,LNT陶瓷可在875℃附近烧结致密,并且其对应的优异微波介电特性为:r?=63.26,?tg=9.19×10-4,Qf=4821GHz。