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纳米磷化镓(GaP)是一种重要的III-V族化合物半导体纳米材料,由于其不同于体材料的新颖的性质,特别是光学性质和在纳米光子学方面的潜在应用,使其在科学研究和技术应用上引起广泛的兴趣。但是目前制备GaP纳米晶的方法还比较少,对反应条件要求高,不仅要求无水无氧,还要求高温,长时间反应,对纳米晶的制备可控能力差,难以得到高品质的纳米晶。本文在课题组以前的工作基础上,根据最近纳米材料制备方法的进展和晶体生长的机理,采用了反胶束法和多步苯热法试图对GaP纳米晶的制备进行调控,以期得到高品质的纳米材料。经过多