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不带温度传感器的DRAM刷新周期设定为某个固定值。低温时DRAM数据保持时间较长,高温时DRAM数据保持时间较短,而为了数据不丢失,DRAM刷新周期必须小于高温时的DRAM数据保持时间。因此DRAM刷新周期设定为较小的固定值,从而导致DRAM待机功耗较大。对于DRAM内置传统温度传感器,错误判断温度过高会导致DRAM刷新周期越小,使得待机功耗过大;错误判断温度过低会导致DRAM刷新周期越大,使得DRAM数据保持时间不足而导致失效。因此DRAM内置传统温度传感器温度传感的误差,会导致无法最大限度地降低待机功耗,在较严重的情况下,有可能发生数据保持失效等可靠性问题。本文针对DRAM内置传统温度传感器电路结构特点,分析了DRAM内置传统温度传感器电路结构缺陷,给出了DRAM内置新型温度传感器的设计需求、系统结构、子模块构成及具体实现方法。本文通过改进DRAM内置温度传感器的状态机,加入测试模式,增强了可测试和可控性;基于原有的电阻分压电路,本设计采用独立的带隙基准电路产生稳定的电阻分压基准电压,本设计还通过采用相同宽度分压电阻、把分压电阻分解成具有相同尺寸的电阻段、叉指结构版图来消除工艺引起的电阻偏差,通过采用温度系数小的电阻、偶数个电阻分段并首尾相连地折叠放置来消除温度引起的电阻偏差,本设计减少了由工艺、温度引起的电阻阻值偏差,实现高精度的分压电阻;同时在原有的电阻分压电路基础上,加入两类控制电阻温度传感漂移误差控制电阻、温度传感斜率误差控制电阻,改善了DRAM内置温度传感器的电阻分压电路性能,提升了温度测量精度。根据线性调整测试结果,得到样品的温度线性调整范围为:-32°C到30°C左右,调整精度约为1°C。而Spec线性调整范围为-32°C到31°C,调整精度为1°C。由分析得知,产品线性调整性能满足设计需求,并且与验证结果偏差在可接受范围内。非线性调整测试结果显示产品温度斜率调整范围:9.76%到-12.2%左右,调整精度约为2.44%。而Spec非线性调整范围为11%到-11%,调整精度为1.5%。由比对分析得知,非线性调整满足设计需求,并且与验证结果基本吻合。该新型内置温度传感器各项重要性能指标满足要求。