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本文针对半导体桥(semiconductor bridge,SCB)换能元输出能量低的现状,将Al/MoO3纳米含能复合薄膜通过MEMS工艺集成到SCB上,制备成含能半导体桥SCB-Al/MoO3。研究了SCB-Al/MoO3的等离子体温度和压力输出特性,在此基础上,研究了SCB-Al/MoO3的点火与起爆性能,主要研究内容及结论如下：(1)利用原子双谱线测温法获得了Al/MoO3纳米含能复合薄膜对SCB-Al/MoO3电爆等离子体温度的影响规律,利用微型密闭爆发器获得了SCB-Al/MoO3的压力输出特性。研究结果表明,激励电压大于40V(47μF)时,Al/MoO3纳米含能复合薄膜可显著提高SCB-Al/MoO3的电爆等离子体温度和输出压力。(2)为研究SCB-Al/MoO3的点火能力,以纳米奥克托今(HMX)和Al/MoO3纳米铝热剂为原材料,设计并制备了感度可调的HMX-Al/MoO3复合含能材料。通过接触式、间隙式和喷墨打印装药式,对比研究了普通SCB、SCB-Al/MoO3与HMX-Al/MoO3之间的能量匹配关系与点火作用方式。研究结果表明,SCB-Al/MoO3的间隙点火能力明显高于普通SCB,SCB-Al/MoO3的等离子体冲击和渗透作用可显著降低HMX-Al/MoO3的发火延迟期。(3)为研究SCB-Al/MoO3的起爆能力,设计制备了基于纳米多孔叠氮化铜集成钛飞片的起爆器,并利用光子多普勒速度测量仪(PDV)获得SCB-Al/MoO3起爆叠氮多孔铜驱动飞片的速度。研究结果表明,SCB-Al/MoO3在间隙0.5mm时,能可靠起爆纳米多孔叠氮化铜,剪切并驱动钛飞片。结果显示,叠氮铜的药高为1.5mm时对飞片驱动加速过程最为有利,可使飞片速度加速到1534m/s。