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纳米晶TiO2的禁带宽度约为3.2 eV,由于具有合适的导带位置、稳定的化学和物理性能以及成本低廉等优点,常作为宽带隙半导体材料应用在敏化太阳能电池的光电阳极中。室温下CdSe的禁带宽度为1.7 eV,CdS的禁带宽度为2.25 eV,二者可直接利用可见光的能量,CdSe和CdS常单独或共同作为敏化剂应用在敏化太阳能电池的光电阳极中,以扩大TiO2光吸收范围,提高光电转换效率。TiO2形貌对光电阳极的光电性能也有影响,本文采用水热合成法,在导电玻璃上制备出锐钛矿TiO2纳米片和金红石TiO2纳米棒阵列薄膜,采用Cd S和CdSe共敏化TiO2纳米片和TiO2纳米棒形成CdSe/CdS/TiO2异质结复合薄膜,确定最佳的共敏化沉积次数,并研究不同热处理温度对异质结复合薄膜光电性能的影响。（1）采用循环伏安法在导电玻璃上制备出光电性能较佳的CdSe（4）/Cd S（5）纳米薄膜,其短路电流密度为1.78 mA·cm-2,光电转化效率为0.29%;CdSe（4）/CdS（5）异质结纳米薄膜在150℃热处理2h时,光电性能最佳,短路电流密度为1.96 mA·cm-2,光电转化效率为0.83%;（2）采用循环伏安法在TiO2纳米片阵列薄膜上制备出光电性能较佳的CdSe（5）/Cd S（3）/TiO2异质结薄膜,其短路电流密度为1.78 mA·cm-2,光电转化效率为1.72%;热处理后,Cd Se（5）/CdS（3）/TiO2纳米片异质结复合薄膜有三元化合物CdS1-x-x Sex生成;在150℃热处理2 h时,光电性能最佳,短路电流密度为2 mA·cm-2,光电转化效率为2.24%;（3）采用循环伏安法在TiO2纳米棒阵列薄膜上制备出光电性能较佳的CdSe（5）/CdS（3）/TiO2异质结薄膜,其短路电流密度为1.39 mA·cm-2,光电转化效率为0.94%;CdSe（5）/CdS（3）/TiO2纳米棒异质结纳米薄膜在350℃热处理2 h时,光电性能最佳,短路电流密度为1.98 mA·cm-2,光电转化效率为0.95%。