为探索新型透红外材料和光纤放大器的基质玻璃材料，本文通过X射线衍射分析、密度测试、差热分析、抗潮解性能测试、FTIR和UV-Vis光谱以及Raman光谱分析等方法，对GeS₂-Ga₂S₃-CsCl、GeS₂-Ga₂S₃-AgI和As₂S₃-PbI₂三系统硫卤玻璃的制备与形成、光学、热学性能以及微结构等进行了较为系统的研究。 GeS₂-Ga₂S₃-CsCl系统玻璃形成能力良好，转变温度Tg在175～375℃之间，大部分玻璃有较强的抗结晶热稳定性；GeS₂／Ga₂S₃=4时，随CsCl掺量增加，Tg先下降后稍有增加，然后继续下降，而密度先上升后下降，在2.82～3.05g／cm³之间。由杂质基团Ge-O键引起的红外截止波长在12.8 μm附近，红外透过率达80％；随CsCl含量的增加，紫外吸收限向短波方向位移，从453nm移至410nm，且透过率增加。CsCl破坏玻璃中S₃Ga-GaS₃金属—金属键连接和GaS₄四面体的共边连接，形成Cl-Ga键，产生复合阴离子团[Ga₂S₂S_2/2Cl₂]^2-；网络形成体仍为GeS₂，[GeS_4/2]四面体顶角相连构成三维空间网络结构，Ga₂S₃为网络中间体，Cs⁺则充当网络修饰体，作为电荷补偿剂填充于[Ga₂S₂S_2/2Cl₂]^2-形成的网络空隙。 GeS₂-Ga₂S₃-AgI系统玻璃成玻区较窄，其边界从GeS₂顶点延伸至含GeS₂40％的组成，当AgI含量小于33％时可以得到稳定的块状玻璃。其转变温度在170～353℃之间；当AgI／Ga₂S₃=2时，随AgI掺量的增加，Tg和Tx基本上呈线性减少，且ΔT和H值下降；密度却呈线性增大，在2.84～3.93g／cm³之间。玻璃具有较好的化学稳定性，红外截止波长位于11.04μm附近，由Ge-S、Ga-S键多声子吸收引起。AgI的加入并未改变网络形成体的近程结构，[GeS₄]和[GaS₄]四面体通过桥S连接形成三维无序网络状结构，AgI作为网络修饰体分布于其中。 在冰水淬冷情况下，As₂S₃-PbI₂二元系统玻璃中PbI₂最大摩尔分数可达25％；玻璃化学稳定性良好，转变温度介于194～201℃之间，并随着PbI₂掺量增加而降低；微结构为网络形成体As₂S₃以[AsS_3/2]三角锥结构单元存在，通过共用S或S-S连结形成无序网络状结构；八面体构型的配位多面体[PbI₆]为网络修饰体，通过S-I键与[AsS_3/2]三角锥连接，均匀地分布于玻璃网络中。 实验结果表明：三个系统的玻璃均为较有前途的中远红外光纤材料，且GeS₂-Ga₂S₃-CsCl玻璃是潜在的稀土离子掺杂1.3 μm光纤放大器的基质材料。