论文部分内容阅读
脉冲调制射频Ar/D2和Ar/H2感性耦合等离子体特性的实验研究
【摘 要】
：
感性耦合等离子体源(Inductively coupled plasma,ICP)是微电子刻蚀工艺中常用的高密度等离子体源之一。随着半导体芯片的集成度越来越高,器件的特征尺寸不断缩小,工业上对刻蚀等工艺的要求也越来越严格。为满足这些要求,人们提出使用脉冲调制射频等离子体。这是因为脉冲调制射频等离子体中,在脉冲关闭阶段,等离子体体区的负离子能够扩散到刻蚀槽表面,中和其表面积累的正电荷,从而减弱等离子
【机 构】
：
大连理工大学
【出 处】
：
大连理工大学
【发表日期】
：
2020年02期
其他文献
气态碱金属原子玻色-爱因斯坦凝聚的成功实现，激发了人们对超冷原子体系的热情，推动了超冷原子物理的发展。随着对科学理论和实验方法的不断进步，超冷费米原子气体日渐成为了研
精确的天文观测数据表明当前的宇宙正处于加速膨胀状态，近年来解释宇宙加速膨胀的暗能量已经成为宇宙学研究的热点问题。然而对暗能量的本质我们却所知甚少。要想揭示它的性质
二氧化硅(SiO_2)薄膜具有很多优异的性质,如电绝缘特性和耐腐蚀性。由于需求的不同,人们已将SiO_2薄膜作为金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的栅极氧化层、器件的保护层以及电容器的绝缘层等。SiO_2薄膜的性能与制备工艺有着很大的关系,常用的制备SiO_2薄膜工艺有化学气相沉积法、物理气相沉积法和热氧化法。本论文通过自主设计的半导体加工装置(ESPD),采用电子回旋共振氢氧混合等离子