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随着经济的发展，人们对能源的依赖性越来越强，同时由于传统能源的消耗对环境造成的污染，人类必须不断的寻找着新能源。太阳能具有环保可再生的特性，这也就让我们对太阳能电池这个领域的研究更加充满了兴趣。半导体的光学性质是其基本物理性质的一个重要方面，同时也是与太阳能电池吸收器的一个重要物理性质。在本篇论文中首先利用密度泛函理论计算对SnSe2(1-x)O2x合金的能带结构和光学性质提出理论预测。结果表明，当氧浓度增加(x≤0.125)时SnSe2(1-x)O2x合金的带隙从1.03eV下降到0.772eV，并且没有带隙态。对于所有掺杂情况介电函数和光吸收都是各向异性的。氧替代硒后对SnSe2(1-x)O2x合金(x≤0.125)在x-y平面方向的光学性质影响明显。此外，合金SnSe2(1-x)O2x的形成焓计算表明氧掺杂SnSe2是可以实现的。这些结果很有趣，表明SnSe2(1-x)O2x合金的带隙具有可调节性，是一种在近红外光学应用方面很有前景的材料。然后又对Sn1-xTixS2三元合金的电子结构和光学性质进行了研究。三元合金Sn1-xTixS2的带隙值随着钛浓度x的增加(0<x≤0.25)从1.926eV减少到1.27eV，导致在可见光范围内的光吸收明显的增加。而随着钛浓度x增加时三元合金Sn1-xTixS2静态介电常数值也在增加。这些结果都表明Sn1-xTixS2三元合金具有可调带隙，可以作为一种很有前景的可见光吸收器的候选材料。最后，我们依据杂化密度泛函理论，研究了单层和双层SnX2(X=S, Se)纳米薄片的电子结构和光学性质。数值结果表明，对于SnX2的纳米薄层，当层数减少时，带隙增加，而光吸收阈值在可见光范围内。这些结果是非常有意思的，表明在可见光应用中SnX2纳米薄层可能会成为一种很有前景的材料。