大功率LED光调制和光脉冲整形技术研究

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LED以其高光效、长寿命、低压驱动、全固态和无汞环保等诸多优点,逐渐大规模应用于普通照明。LED还具有光电响应速度快的特点,在满足照明需求的同时可兼备数据传输的功能。作为光通信光源,LED与激光二极管(LD)相比,具有发射功率大、驱动控制简单、成本低和寿命更长的优点,较大的发散角使得对接收端的对准比较容易,或具有较好的移动性。因此基于LED的无线光通信引起了研究人员的广泛关注。但LED光电响应速率比LD慢,其光调制带宽比LD要低。而且,大功率LED比小功率LED的响应时间要慢,1W或以上的大功率LE
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本文通过对荣华二采区10
期刊
Ⅱ-Ⅵ族化合物ZnS是一种直接宽带隙半导体材料,光学带隙为3.7eV,有良好的光学和电学特性,无论是在光发射器件领域,还是在α粒子探测器件、薄膜电池和电致发光领域,都是应用极为广泛的材料。本论文利用KrF准分子脉冲激光沉积技术制备ZnS薄膜,并系统地研究了不同衬底、不同温度以及不同退火处理对薄膜的制备和光学特性的影响。另外,制备并研究了不同的退火处理方式对硅基薄膜结晶质量的影响。1.在玻璃衬底上制