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Zr/Ti在95/5附近的锆钛酸铅陶瓷(PZT)具有高的热释电系数,低的介电常数,可以很好地被利用在红外探测和热电换能等方面。该体系存在FRL-FRH相变,这种相变的相变温度低,自发极化变化小,因相变引起的晶格畸变不大,介电常数和介质损耗增加不多,但热释电系数特别高,因而优值因子特别大。但是在实际应用过程中发现PZT95/5陶瓷存在电阻比较大,阻抗较难匹配,介电损耗也较大等问题,给实际应用带来极大的不便。研究发现相对于纯PZT95/5陶瓷,Pb[Zr0.85(Mn1/3Sb2/3)0.05Ti0.10]O3 (PMS-PZT)、Pb[Zr0.925Fe0.025Nb0.025Ti0.025]O3 (PFN-PZT)体系的电阻明显要小,但是介电性能不理想,因此希望通过掺杂进一步降低介电常数、介电损耗和电阻。本工作根据“相近离子半径,不同化合价;相同化合价,不同离子半径”的原则选择了ZnO、Cr2O3、Ga2O3、SnO2对PMS-PZT体系掺杂,In2O3、Ga2O3、Co2O3、Cr2O3对PFN-PZT体系进行掺杂。研究了掺杂对其介电性能、电阻、压电性能、居里温度等物理性能的影响。并且结合IR、UV、SEM对材料的微观性能进行表征,进一步探讨材料的宏观物理性能与微观结构之间的关系。研究发现,对于PMS-PZT来讲,受主掺杂使得材料的介电常数、介电损耗和电阻率减小,且随掺杂阳离子化合价的升高,材料的介电常数和介电损耗不断减小;掺杂0.3wt%SnO2在1300oC烧结的材料的性能最佳,极化后测得其介电常数和损耗分别为190和0.2%,电阻率为1.7×1011? cm,热释电系数为3.34 E-8Ccm-2K-1,并且在升温和降温过程中铁电-顺电相变不存在热滞现象。随SnO2掺杂含量的增加,介电常数和介电损耗都是先降低后增加,电阻率呈现不断下降的规律,综合考虑,SnO2掺杂量为0.3wt%时材料的电学性能最为理想。对于PFN-PZT来讲,掺杂Cr2O30.3wt%,1320oC烧结的样品,电学性能最好,介电常数、损耗和电阻分别是373、1.6%和1.7×1011? cm。研究结果还发现红外光谱、紫外光谱图与材料的介电性能、电阻之间存在内在的联系,揭示了不同掺杂离子对宏观性能及其微观结构的影响。