化合物半导体高电子迁移率晶体管等效电路建模是微波电路领域的一个重要课题,模型的精确度直接决定仿真结果的可信度。随着无线通讯技术的飞速发展,宽禁带半导体材料GaN作为第三代半导体材料以其优异的电学特性使得GaN HEMT(High Electron Mobility Transistor——高电子迁移率晶体管)建模成为研究热点。而原有的14元件模型存在较大的高频区域误差,本文的主要目的就是克服高频下电容分布效应,在原有模型的基础之上,设计一种适合高频情况的器件模型,并对其主要参数的提取方法进行研究。本文首先从理论上深入研究了GaN HEMT器件的物理机理,得到高频下器件的电容分布效应对器件性能的影响。在传统的14元件等效电路模型的基础之上,通过增加两个寄生电容来表示栅源、栅漏极间串扰的方法,设计出GaN HEMT的16元件等效电路模型。文中对GaN HEMT小信号等效电路模型和参数提取方法进行了研究。通过理论上对直接提取和分步提取两种方法进行比较,最终选择采用分步提取法对所建模型参数进行研究。分别对本征参数、寄生电容、寄生电感、电阻等参数进行提取。并使用ADS仿真工具对该16元件等效电路模型的S参数进行拟合,结果显示仿真结果和测试结果吻合较好,得到了一种参数提取简单,运算量小,容易实现的分步提取法。并对大信号模型参数提取方法进行了探索。以及对GaN HEMT功放的工作原理、性能参数进行了分析。本文从理论入手,对原有的14元件等效电路模型进行改进,提出16元件等效电路模型,并采用分步提取法完成GaN HEMT小信号等效电路模型的参数提取,测试和仿真结果显示了本文中参数提取方法的正确型和可靠性,优化了参数提取的方法。