【摘 要】
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MoS2作为窄带隙p型半导体材料在光电转换以及催化等领域具有重要的应用前景。其低维纳米结构的可控制备,正受到人们的高度关注,已成为纳米材料科学与技术领域的研究热点之一
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MoS2作为窄带隙p型半导体材料在光电转换以及催化等领域具有重要的应用前景。其低维纳米结构的可控制备,正受到人们的高度关注,已成为纳米材料科学与技术领域的研究热点之一。本论文主要对在n型硅基底表面生长Ⅱ型MoS2薄膜制成异质结,MoS2纳米球花以及碳纤维表面包覆纳米SnO2（CFs/SnO2）的制备规律,及其电学、光学性质进行研究,获得了一些有意义的成果。首次在n型硅基底上以化学镀的Ni为MoS2生长诱导层,利用化学池沉积法得到较好晶形的Ⅱ型MoS2膜并制备出Ⅱ-MoS2/Si（n）异质pn结。系统的研究了反应浓度,退火温度,退火时间,以及Ni诱导层对Ⅱ型MoS2晶体生长的影响,并提出其生长机制。MoS2薄膜的禁带宽度约为1.87eV。Ⅱ-MoS2/Si（n）显示出优良的pn结特性。通过水热法合成出MoS2纳米球花。调整前躯物浓度,反应温度,陈化时间,退火温度以及离子添加剂实现了对其形貌的的调控,并揭示其演化规律。研究了MoS2纳米球花的紫外-可见光吸收特性以及热稳定性。利用低温液相沉淀法制备出核壳结构的CFs/SnO2复合材料,通过改变前驱物浓度实现了对壳层厚度的调控。研究了该复合材料的光致发光机制。
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