运用基于密度泛函理论的第一性原理,本文采用CASTEP软件模拟计算LiF、MgO这两种窗口材料的理想以及分别含空位点缺陷晶体在高压下的电子结构以及光学性质,通过对计算所得结果的分析和研究,提出了可能物理机理解释他人实验测量数据。论文一共分为五章,其中第一章概述研究背景、研究现状、有待解决的问题和全文研究思路；第二章主要介绍相关理论基础和本文所采用模拟计算软件；第三章模拟计算在高压下氟化锂理想晶体和分别含空位缺陷(VLi-1、VF+1)晶体在～102GPa压力范围的电子结构以及光学性质,研究其在冲击压缩状态下的折射率变化行为以及状态方程；第四章模拟计算氧化镁理想晶体在高压下的电子结构和光学性质；第五章模拟计算缺陷对高压下氧化镁晶体电子结构和光学性质的影响。本文主要工作和结论如下：(1)基于密度泛函理论,运用CASTEP模拟软件计算理想以及分别含空位缺陷(VLi-1、VF+1)的氟化锂晶体在102GPa压力范围的电子结构以及光学性质,研究在冲击状态下氟化锂晶体的折射率变化行为以及状态方程,结果显示,理论计算结果与实验测量数据的趋势一致,从而说明从空位缺陷的物理机理解释在冲击压缩状态下的LiF折射率变化行为和状态方程是合理的,并且在计算方案中考虑了冲击压力的变化而引起的空位浓度变化的情况。(2)计算100GPa压力范围内MgO理想晶体的电子结构和光学性质,计算结果表明：随着压力的增加光吸收带边会蓝移,并且-69.4GPa冲击压力下的光吸收曲线在可见光区内并不存在光吸收。在100GPa的冲击压力范围内,MgO理想晶体的折射率会随着压力的增加而增加,而且压力越高增加越快。(3)通过对MgO空位缺陷的计算,当O+2空位存在时,MgO的能隙中出现缺陷能级,从而导致其在可见光范围内的出现了不同程度的光吸收(光吸收系数随着波长的增加而减小),与实验结果一致。另外,当O+2空位存在时,折射率有明显增加；而当Mg-2存在时,折射率只有微弱下降,以上结论为高压实验提供了理论参考。